최양규 KAIST 교수(전자전산학과·사진)팀과 나노종합팹센터(소장 이희철)는 14일, 공동연구를 통해 머리카락의 1만2천분의 1의 두께로 8nm(나노미터)급 차세대 비휘발성 플래시 메모리 소자를 개발하는데 성공했다고 밝혔다.

연구팀은 "실리콘 나노선 (silicon nanowire)과 SONOS(실리콘-산화막-질화막-신화막-실리콘) 기술을 결합해 개발을 성공할 수 있었다"며 "이번 개발을 통해 얻은 차세대 비휘발성 메모리 원천기술과 응용기술의 실용화를 목적으로 하고 있다"고 밝혔다.

이번 성과는 기존 비휘발성 메모리 기술의 한계를 극복할 의미 있는 연구 결과로 받아들여지고 있다. '황의 법칙'이 10nm급 이하까지 계속될 수 있는 가능성을 제시했기 때문이다.

연구팀 관계자는 "실리콘 나노선과 SONOS를 응용한 3차원 비휘발성 메모리 소자기술을 적용하는 경우 낸드플래시 시장 창출 효과는 10년간 250조원이 넘을 것으로 예상된다"며 "반도체 기술이 정보통신과 나노바이오 등 관련 산업에 미치는 파급효과까지 고려할 경우 경제적 부가가치는 더 커질 것"이라고 말했다.

이번 연구성과는 오는 6월 일본 교토에서 개막되는 '초고집적회로 국제학회'에서 발표될 예정이다.