투명 메모리 소자 제작기술이 국내 연구진에 의해 세계 최초로 개발됐다. KAIST 전자전산학부 임굉수·박재우 교수팀은 금속 산화물의 저항 변화를 이용한 차세대 투명 저항 변화메모리(TRRAM) 소자를 개발했다고 16일 밝혔다. 이 연구성과는 미국 응용물리학회지 12월호에 게재됐다.

연구진이 개발한 투명 메모리는 일반인들이 많이 갖고다니는 USB처럼 전원이 꺼져도 데이터가 지워지지 않는 비휘발성 메모리 소자다. 유리나 투명 플라스틱 기판 위에 투명한 전극과 산화물 박막으로만 구성돼 있다. 투명 휴대폰이나 투명 디스플레이 등에 적용될 수 있을 것으로 기대된다.

기존 실리콘 기반 CMOS(상보적 금속 산화물 반도체) 플래시 메모리 소자보다 제조공정이 간단하고, 수명도 10년 이상 길다. 미국물리학회(AIP)는 '어플라이드 피직스 레터스(Applied Physics Letters)' 12월호에 게재된 이 연구결과를 '주목할 만한 기술'로 소개하며, "투명 전자기술을 이용하면 컴퓨터 모니터나 텔레비전 등을 유리나 투명 플라스틱에 내장해서 공간을 효율적으로 활용할 수 있는 미래형 전자기기 개발이 가능해진다"고 전망했다.

연구팀 관계자는 “앞으로 다가올 투명 디스플레이 등과 같은 투명전자 시대에 맞춰 가장 기본적인 저장 매체인 메모리 소자 또한 투명하게 만들고자 하는 취지에서 개발되었고, 이와 더불어 앞으로도 IT 일등 강국으로서의 위상을 이어 나갈 수 있는 발판을 마련한 것에 의미가 있다고”고 밝혔다.

이번 연구는 KAIST 전자전산학부 박사과정 서중원 학생, 지도교수 임굉수 교수, 그리고 박재우 교수가 공동으로 수행했다.