국민대 전자공학부 반도체및집적회로연구실팀(이순영·장재만·신자선·김효종씨, 지도교수 김동명·김대환 교수)이 삼성전자 휴먼테크 논문 대상에서 장려상을 수상했다.

수상팀은 이번 논문에서 차세대 고집적 메모리를 구현할 수 있는 30나노미터의 짧은 채널길이를 갖는 초격자 구조의 에너지 밴드 구조를 이용한 새로운 구조의 DRAM 소자를 제안했다.

이 소자를 이용할 경우 30나노미터의 채널길이에도 불구, 메모리 저장 능력이 현저히 증가했으며, 데이터의 쓰기 효율도 향상된다. 아울러 이중 게이트 구조를 채용해도 메모리의 집적도를 향상시킬 수 있다.

이번에 상을 받은 반도체및집적회로연구실팀은 모두 16회의 논문 경진대회 중 7회를 수상한 바 있다. 특히 지난 12회부터 최근 5회 연속 수상하기도 했다.

이번 논문의 부상으로 상금 100만원과 함께 참여 대학원생 및 학부생 4명 모두 삼성전자의 입사 특전을 부여받는다.