한국과 일본 공동 연구팀이 기존 플래시메모리를 대체할 수 있는 차세대 메모리인‘Re램’(ReRAM:저항변화 메모리)을 상용화할 메모리 기술을 개발했다.

건국대는 20일, 이 대학 물리학부 박배호 교수<사진·오른쪽>팀과 일본 오사카대 소속의 토모지 카와이 교수팀이 Re램의 구동전력을 획기적으로 낮추면서 메모리 집적효과를 높인 ‘극미세 코발트 산화물 나노와이어 메모리’를 개발했다고 밝혔다.

이번 연구 결과는 교육과학기술부의 WCU(세계수준연구중심대학) 지원 사업을 통해 거둔 첫 성과물로, 나노 분야의 세계적 과학저널인 ‘나노레터’지 4월호 온라인판에 게재됐다.

Re램은 현재 주력 상품인 플래시메모리보다 저장 용량이 훨씬 크고 전원을 꺼도 정보가 손실되지 않는 차세대 메모리다. 그러나 저장 용량이 높은 Re램은 집적도를 높였을 때 구동 전력이 너무 높아 열이 많이 발생하는 단점이 있었다. 따라서 구동 전력을 낮추는 기술을 개발하는 것이 메모리 용량인 집적도 향상을 위해 시급한 과제였다.

공동연구팀은 차세대 나노소자 물질인 코발트 산화물(Co3O4)을 이용해 10나노미터(1억분의 1미터) 폭의 나노와이어를 개발, Re램 소자를 만들었다. 그 결과 구동전력이 획기적으로 낮아지고 부피 대비 표면적이 극대화돼 Re램 소자의 상용화에 필요한 산화-환원 메커니즘 규명에 필요한 중요한 증거를 발견해냈다.

박 교수는 “이번 코발트 산화물 나노와이어를 이용한 소자 연구는 저항의 변화에 따라 데이터를 기록하는 Re램의 구동전력 문제를 해결하고 메모리 소자의 크기가 초미세 리소그라픽 이하의 나노 크기로 작아지더라도 충분한 집적도를 가질 수 있는 가능성을 보여준 것”이라고 설명했다.